研究领域（方向）

1.高效全光谱照明级半导体LED核心技术和工业化技术研究；

2.宽禁带化合物半导体光电器件的外延结构设计、材料生长和物理表征；

3.半导体器件纳米工艺和封装技术的研究。

个人及工作简历

西安交通大学电子与信息工程学院教授。从事宽禁带半导体材料和器件研究。复旦大学物理系固体物理专业本科毕业。中科院物理电子学专业理学博士，清华大学电子工程系博士后。

科研项目及学术成果

承担多项国家863计划项目课题，国家自然科学基金，国家重点研发计划项目课题，以及与企业的横向研发课题。从事III-V族氮化物半导体材料和器件的基础应用研究。在材料物性、MOCVD生长技术、器件设计及封装工艺等基础领域做出了大量奠基性的工作，并在该领域取得多项国际公认的突破性的学术成就，同时也在化合物半导体材料MOCVD生长及器件工艺以及材料和器件的表征方面取得了很高的造诣。例如在MOCVD生长过程中引入多层纳米结构以提高晶体质量，对GaN 材料极性和压电效应的关系研究，以及AlGaN合金材料的能带非线性系数的研究，相关论文被国际同行多次他引并高度评价。对MOCVD及MBE生长技术及关键设备亦有深入的实践经验。对包括发光二极管（LED）在内的光电器件设计优化有丰富的积累。在国际权威期刊和国际学术会议发表著述百余篇，并在氮化镓材料和LED器件领域拥有关键知识产权的专有技术和专利。