西安交通大学宽禁带半导体材料与量子器件研究所是在宽禁带半导体研究中心和光电子与物理电子研究所的基础上组建成立的，是中国西部科技创新港的国际化研究平台，具有雄厚的科研条件和优秀的科研团队。
研究所以电子物理与器件教育部重点实验室和陕西省信息光子技术重点实验室为支撑平台，由中科院院士侯洵教授领衔，王宏兴教授任所长，主要成员包括张彦鹏、吴胜利、李峰、张朝阳、康永锋、胡文波、张景文等十九位领军学者和专家。
研究所面向国际宽禁带半导体及其量子器件中的科技前沿问题和国家重大战略需求，开展基础研究和应用开发，承担多项国家重大、重点项目和前沿课题，部分成果已获得产业化。
主要研究方向：
❑宽禁带半导体单晶薄膜及其异质结外延生长
❑功率电子器件与微波芯片研发
❑金刚石单晶及其核心生长设备研发
❑功率电子器件异构集成及其热管理
❑量子器件及量子成像研发
❑场发射薄膜及其应用
❑微腔光子学及超材料微纳光子学
❑超快光子学测量与成像
❑集成电路芯片电子束加工与检测
